桑色素在L-半胱氨酸自组装膜修饰金电极上的电化学行为研究

• 作者: 曾百肇 杨玉霞 赵发琼 黄菲
• 来源期刊: 分析科学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 桑色素 L-半胱氨酸 自组装膜 金电极 电化学行为
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 125-128
• 页数: 4页
• 分类号: O657.15|Q517|R917
• 字数: 3347字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-6144.2004.02.004

摘要

在0.1 mol/L(pH＝4.7)的HAc-NaAc缓冲溶液中,用L-半胱氨酸自组装膜修饰金电极对桑色素的电化学行为进行了初步的研究,考察了修饰时间、富集时间、富集电位、扫描速度、表面活性剂、金属离子等因素对其电化学行为的影响.研究发现,桑色素在0.44 V(vs.SCE)左右产生一不可逆的氧化峰.该氧化峰电流与桑色素浓度在5×10-6～2×10-4mol/L范围内呈线性关系(相关系数r＝0.9989),检出限为2×10-6m01/L,这比用裸金电极测试降低一个数量级.同时发现,十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)对氧化峰电流有一定的增敏作用.该峰且随Pb2+浓度增大而线性增高,因此可用于Pb2+的测定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾百肇	武汉大学化学与分子科学学院	31	300	10.0	16.0
2	赵发琼	武汉大学化学与分子科学学院	20	141	7.0	11.0
3	杨玉霞	武汉大学化学与分子科学学院	2	8	2.0	2.0
4	黄菲	武汉大学化学与分子科学学院	1	5	1.0	1.0