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摘要:
为进一步研究半导体纳米材料的物理特性,用真空沉积的方法在SiO2基片上制备了纳米InSb颗粒膜.用原子力显微镜扫描样品表面的分析显示,纳米InSb颗粒均匀地分布在SiO2基片表面.实验结果表明通过改变镀膜时间,可以得到具有不同颗粒尺寸的InSb纳米颗粒.
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文献信息
篇名 InSb纳米颗粒的制备与原子力显微镜
来源期刊 国防科技大学学报 学科 工学
关键词 纳米InSb颗粒 真空蒸发沉积 原子力显微镜
年,卷(期) 2004,(2) 所属期刊栏目 航天工程·材料工程
研究方向 页码范围 17-20
页数 4页 分类号 TB333
字数 2335字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2486.2004.02.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 何焰兰 国防科技大学理学院 22 118 6.0 10.0
2 孙全 国防科技大学理学院 5 8 2.0 2.0
3 吕志辉 国防科技大学理学院 2 4 1.0 2.0
传播情况
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引文网络
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2004(0)
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2012(1)
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研究主题发展历程
节点文献
纳米InSb颗粒
真空蒸发沉积
原子力显微镜
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
国防科技大学学报
双月刊
1001-2486
43-1067/T
大16开
湖南省长沙市开福区德雅路109号
42-98
1956
chi
出版文献量(篇)
3593
总下载数(次)
5
总被引数(次)
31889
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