60keV质子辐照对TiNi记忆合金薄膜马氏体相变的影响舷

• 作者: 傅永庆 王治国 祖小涛 莫华强 雷雨
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: TiNi形状记忆合金薄膜 H离子注入 马氏体相变 示差扫描量热仪 X射线衍射
• 年，卷（期）: 2004,（11）
• 所属期刊栏目: 粒子束及加速器技术
• 页码范围: 1473-1476
• 页数: 4页
• 分类号: TG139.6
• 字数: 1881字
• 语种: 中文

摘要

利用磁控溅射的方法在氧化后的单晶Si基片上制备了TiNi形状记忆合金薄膜,利用示差扫描量热法和原位X射线衍射研究了薄膜的马氏体相变特征.通过60keV质子注入(辐照)薄膜样品研究了H+离子对合金薄膜马氏体相变特征的影响,结果表明氢离子注入后引起了马氏体相变开始Ms和结束点Mf以及逆马氏体相变开始As和结束温度Ar的下降,而对R相变开始R,和结束温度Rr影响不大.掠入射X射线衍射表明H+离子注入后有氢化物形成.H+离子注入形成的氢化物是引起相变点的变化的主要因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	祖小涛	电子科技大学应用物理系	111	627	12.0	17.0
2	王治国	电子科技大学应用物理系	20	92	6.0	7.0
3	雷雨	电子科技大学应用物理系	9	52	3.0	7.0
4	莫华强	电子科技大学应用物理系	1	7	1.0	1.0