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摘要:
通过解析的方法分析了储存环在部分填充情况下的纵向耦合不稳定性,给出了不稳定性增长率和同步振荡频移的表达式.得到了一个有趣的结果:虚部阻抗对不稳定性的增长率也有贡献.这一点和均匀填充情况是不一样的.
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内容分析
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文献信息
篇名 储存环部分填充情况下的纵向耦合不稳定性
来源期刊 高能物理与核物理 学科
关键词 纵向-不稳定性 非均匀-阻抗 高阶模
年,卷(期) 2004,(11) 所属期刊栏目 加速器
研究方向 页码范围 1209-1213
页数 5页 分类号
字数 1559字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0254-3052.2004.11.016
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 姜伯承 中国科学院上海应用物理研究所 9 30 2.0 5.0
2 赵振堂 中国科学院上海应用物理研究所 36 191 8.0 13.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
纵向-不稳定性
非均匀-阻抗
高阶模
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
高能物理与核物理
月刊
chi
出版文献量(篇)
2219
总下载数(次)
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4790
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