FLOTOX结构的EEPROM可靠性研究

• 作者: 朱樟明 杨银堂 王金延 罗宏伟 解斌
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: FLOTOX EEPROM 退化 可靠性
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 174-176,181
• 页数: 4页
• 分类号: TN406
• 字数: 2083字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2004.02.003

摘要

分析了影响FLOTOX EEPROM可靠性的主要因素,包括可编程窗口的退化,电荷保持特性的退化以及与时间有关的氧化层击穿等.FLOTOX的可靠性与隧穿氧化层的质量密切相关.隧穿氧化层中产生的缺陷(陷阱电荷)是引起FLOTOX EEPROM性能退化的主要原因.实验证实氧化层中的陷阱电荷对FLOTOX EEPROM性能的退化起主要作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子研究所	420	2932	23.0	32.0
2	罗宏伟	西安电子科技大学微电子研究所	8	63	5.0	7.0
6	朱樟明	西安电子科技大学微电子研究所	164	1318	18.0	26.0
7	解斌	北京大学微电子所	2	7	1.0	2.0
8	王金延	北京大学微电子所	13	15	2.0	3.0