一种MOSFET器件模拟的新方法

• 作者: 蒋超 邓艳 龚仁喜
• 来源期刊: 宝鸡文理学院学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 逆算子方法 器件模拟 泊松方程
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 博士论坛
• 页码范围: 137-140,143
• 页数: 5页
• 分类号: TN303
• 字数: 2986字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-1261.2004.02.003

摘要

逆算子方法是一种新发展起来求解强非线性问题的近似解析法,对这种方法在MOSFET器件模拟中的基本思想和实现方法进行了阐述,并将其运用于MOSFET器件模拟中,求解了半导体区域的一维非线性泊松方程,得到了MOSFET的一些重要参量的解析表达式,所获得的结果与数值计算的结果比较表明,该方法获得的结果物理意义明确、分析过程简单,收敛速度快捷.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龚仁喜	广西大学电气工程学院	89	835	17.0	25.0
2	蒋超	广西大学电气工程学院	27	118	6.0	10.0
3	邓艳	广西大学电气工程学院	3	10	1.0	3.0