a-C:F薄膜的工艺及热稳定性研究

• 作者: 刘雄飞 张云芳 李幼真 肖剑荣
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 物理学
• 关键词: PECVD 沉积速率 a-C:F薄膜 表面形貌
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 23-26
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 1492字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2004.03.006

摘要

以CF4和CH4为源气体,用PECVD法制备了不同沉积条件下的a-C:F薄膜,测量了薄膜的厚度,研究了薄膜沉积速率和沉积工艺的关系,用傅立叶变换红外谱(FTIR)分析了薄膜的化学键结构,用扫描电镜和原子力显微镜分析了薄膜表面形貌,对薄膜在真空中进行了退火,研究了薄膜的热稳定性.实验表明,沉积速率在5～8 nm/min之间,薄膜表面平整、致密,在300℃内有较好的热稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘雄飞	中南大学物理科学与技术学院	63	517	13.0	21.0
2	肖剑荣	中南大学物理科学与技术学院	23	103	6.0	8.0
3	李幼真	中南大学物理科学与技术学院	23	128	7.0	10.0
4	张云芳	中南大学物理科学与技术学院	5	13	2.0	3.0