氮化铝陶瓷

• 作者: 李连洲 霍素真
• 来源期刊: 国外耐火材料
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化铝陶瓷 半导体仪器 活性添加剂 Y2O3
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 生产·使用
• 页码范围: 21-22
• 页数: 2页
• 分类号: TQ174.12
• 字数: 1756字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-7792.2004.04.006

摘要

半导体仪器在各个领域得到了广泛应用,但制造半导体仪器所需要的高温导热材料仍然是一个迫切需要解决的问题,以AlN为基质的陶瓷,使用各种活性添加剂,对陶瓷性能有显著影响,以Y2O3为添加剂的AlN陶瓷具有良好导热性与电物理性能.