类硅离子精细结构能级和辐射寿命

• 作者: 姜仁滨 张军 王宛珏 王晓东 裴东
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 类硅离子 精细结构能级 辐射寿命
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 215-220
• 页数: 6页
• 分类号: O562.3
• 字数: 2276字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2004.02.010

摘要

用全相对论多组态自洽场方法,计算了类硅离子的1s、2s、2p-、2p 、3s、3p-、3p、3d-、3d、4s、4p-、4p、4d-、4d、4f-、4f、5s、5p-、5p、 5d-、5d、5f-、5f、5g-、5g、6s、6p-、6p轨道的912个精细结构能级和辐射寿命以及各种跃迁参数.能级的计算值和实验值符合得很好.从计算结果中发现了一些亚稳态能级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	裴东	西北师范大学物电学院	60	321	10.0	14.0
2	张军	新疆大学物理系	84	275	9.0	14.0
3	王晓东	西北师范大学物电学院	13	58	5.0	6.0
4	姜仁滨	兰州交通大学数理与软件工程学院	6	14	3.0	3.0
8	王宛珏	兰州交通大学数理与软件工程学院	6	14	3.0	3.0