聚硅烷导电性能及氧化掺杂

• 作者: 于逢源 徐冰 雷艳秋 黄世强
• 来源期刊: 化工新型材料
• 学科: 工学
• 关键词: 聚硅烷 导电性能 电子离域 氧化掺杂
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 新材料与新技术
• 页码范围: 5-9
• 页数: 5页
• 分类号: TQ2
• 字数: 4098字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-3536.2004.04.002

摘要

介绍了聚硅烷导电材料的国内外研究进展,侧重阐述了聚硅烷的中性半导体行为及其独特的σ电子的离域性;并简单介绍了提高聚硅烷导电性能的不同掺杂手段,着重叙述了聚硅烷氧化掺杂导电的机理及影响其掺杂功效的几个重要因素,同时对该领域今后的发展方向作出展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄世强	湖北大学化学与材料科学学院	119	1378	21.0	30.0
2	于逢源	湖北大学化学与材料科学学院	5	53	4.0	5.0
3	徐冰	湖北大学化学与材料科学学院	5	54	5.0	5.0
4	雷艳秋	湖北大学化学与材料科学学院	7	53	5.0	7.0