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摘要:
综合评述了稳定剂和杂质SiO2偏析的原理,偏析对晶界电导的影响,分析了偏析与晶粒尺寸大小关系的2种不同观点,介绍了改变烧结条件、掺杂Al2O3、加压、提高降温速度这几种可行的改善晶界电导的方法.
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文献信息
篇名 偏析对氧化锆晶界电导的影响及提高晶界电导的几种方法
来源期刊 硅酸盐通报 学科
关键词 氧化锆 偏析 晶界电导 空间电荷层
年,卷(期) 2004,(3) 所属期刊栏目 综合评述
研究方向 页码范围 77-80,93
页数 5页 分类号
字数 3385字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-1625.2004.03.020
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈宗璋 湖南大学化学化工学院 94 1413 21.0 34.0
2 向蓝翔 15 48 4.0 5.0
3 罗上庚 34 529 12.0 22.0
4 利明 湖南大学化学化工学院 2 18 2.0 2.0
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晶界电导
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硅酸盐通报
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16开
北京市朝阳区东坝红松园1号中材人工晶体研究院733信箱
80-774
1980
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