全内反射荧光显微术应用于单分子荧光的纵向成像

• 作者: 徐至展 王桂英 王琛
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 全内反射荧光显微术 纵向重构
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 总论
• 页码范围: 1325-1330
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3388字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.05.012

摘要

在模拟荧光分布的高帽形(top-hat)模型的基础上提出了隐失场中模拟荧光分子球体的数学方法.基于此模型,提出了将全内反射荧光显微术应用于单分子荧光成像中,利用这种显微术中激发场的纵向强度呈指数衰减的分布特性,测得的荧光强度将强烈依赖渗透深度(强度衰减到1/e时的距离),从而快速直接的确定单分子荧光团间的纵向间隔、每个荧光团的纵向绝对位置和荧光团的半径大小,即实现荧光分子三维分布的重构.在整个重构的过程中,只需要改变一次入射角的大小,即只需探测两幅荧光分子的全内反射成像.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐至展	中国科学院上海光学精密机械研究所强光光学开放实验室	163	1107	19.0	24.0
2	王琛	中国科学院上海光学精密机械研究所强光光学开放实验室	58	450	12.0	18.0
3	王桂英	中国科学院上海光学精密机械研究所强光光学开放实验室	40	544	14.0	21.0