泰氟隆烧蚀产物对电子密度的影响

• 作者: 尹乐 王毛彦 石于中 陈伟芳
• 来源期刊: 国防科技大学学报
• 学科: 航空航天
• 关键词: 烧蚀 化学非平衡 数值计算
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 航天工程·材料工程
• 页码范围: 30-33
• 页数: 4页
• 分类号: V211.4
• 字数: 1509字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2486.2004.06.007

摘要

采用WNND格式,对有泰氟隆烧蚀产物引射的化学非平衡NS方程进行了数值模拟.采用7组元纯空气化学反应和19组元、28种反应的空气-泰氟隆化学反应系统,对照计算了壁面有泰氟隆烧蚀产物引射和纯空气绕流两种流场,研究了泰氟隆烧蚀产物对电子密度的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	尹乐	国防科技大学航天与材料工程学院	17	65	5.0	7.0
2	陈伟芳	国防科技大学航天与材料工程学院	47	339	10.0	16.0
3	石于中	国防科技大学航天与材料工程学院	16	53	4.0	5.0
4	王毛彦	国防科技大学航天与材料工程学院	1	0	0.0	0.0