温度对TC4离子氮化组织和性能的影响

• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 航空航天
• 关键词: 离子氮化 温度 氨气
• 年，卷（期）: 2004,（z2）
• 所属期刊栏目: 测试技术及设备
• 页码范围: 123-125
• 页数: 3页
• 分类号: V252
• 字数: 1011字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-924X.2004.z2.030

摘要

对TC4进行以氨气为气源的离子氮化,氮化温度700℃,750℃,850℃,900℃,保温时间4小时.通过金相检验、显微硬度测定、X射线衍射结构分析,研究了离子氮化温度等参数对渗层深度、硬度和结构的影响规律.