SiGeC三元合金的研究进展

• 作者: 左玉华 王启明 赵雷
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiGeC 应变补偿 能带偏移 制备 应用
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 所属期刊栏目: 专家论坛
• 页码范围: 1-9,14
• 页数: 10页
• 分类号: TN304.26
• 字数: 7127字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2004.07.001

摘要

SiGeC三元合金是一种新型的Ⅳ-Ⅳ族半导体材料,其中的碳可以为SiGe合金提供应变补偿,调节能带结构,提高热稳定性,从而有利于高性能光电器件的制备.本文总结了近年来关于SiGeC的性能、制备和应用方面的若干研究结果,并对SiGeC进一步的研究方向提出了自己的建议.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王启明	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室	118	735	14.0	20.0
2	左玉华	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室	18	70	6.0	7.0
3	赵雷	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室	25	210	9.0	14.0