与硅集成的La0.3Ca0.7MnO3-δ薄膜及其电脉冲诱发可变电阻效应

• 作者: 于伟东 李效民 王群 董睿 陈同来 陈立东 高相东
• 来源期刊: 中国有色金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: 钙钛矿结构 硅衬底 电脉冲诱发可变电阻 氧化物功能薄膜
• 年，卷（期）: 2004,（z2）
• 所属期刊栏目: 薄膜材料与表面技术
• 页码范围: 485-487
• 页数: 3页
• 分类号: TF8
• 字数: 2060字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-0609.2004.z2.109

摘要

研究了钙钛矿结构氧化物功能薄膜La0.3Ca0.7MnO3-δ(LCMO)在半导体硅衬底上的外延生长及其电脉冲诱发可变电阻(EPIR)效应.通过在半导体硅衬底与功能薄膜之间添加Ir/MgO双层缓冲层的方法,制备了全外延的LCMO/Ir/MgO/Si(001)的异质结构,其面外外延关系为:LCMO(001)//Ir(001)//MgO(001)//Si(001).X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)分析表明,LCMO薄膜具有良好的结晶性,其表面的平整度达到了Ra=1.47 nm.进一步电学性能研究表明,在Ag-LCMO-Ir三明治结构中,有着显著的电脉冲诱发可变电阻效应.分析认为这种电阻的变化与LCMO薄膜中靠近上下电极区的"等效畴"中的电荷占有状态有着密切的联系.