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摘要:
为制得性能良好的涂层导体用La0.7 Sr0.3 MnO3 (LSMO)缓冲层薄膜、研究LSMO薄膜的低磁场磁电阻效应,利用高分子辅助化学溶液沉积法,在LaA1O3(LAO)单晶基底上制备了一系列钙钛矿LSMO单晶外延薄膜.考虑氩气和氧气退火气氛对LSMO成相的影响,研究了氩气退火条件下样品的织构、形貌情况和氧气退火条件下制得的样品的输运性质及磁电阻效应.研究结果表明:氩气下采用高分子辅助的化学溶液沉积法有利于制备出低成本、高性能的涂层导体用单一LSMO缓冲层;氧气下退火制得的薄膜c轴取向生长良好,并且电阻-温度曲线出现绝缘体-金属相变,其磁电阻值在200~300 K范围内不随温度变化,在1T磁场室温下磁电阻值约为-26.0%.
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关键词热度
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文献信息
篇名 La0.7Sr0.3MnO3单晶外延薄膜制备及其磁电阻特性
来源期刊 西南交通大学学报 学科 工学
关键词 化学溶液沉积法 钙钛矿 缓冲层 庞磁电阻
年,卷(期) 2013,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 961-967
页数 7页 分类号 TB33|TB34|O482
字数 3696字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.0258-2724.2013.05.028
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钙钛矿
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庞磁电阻
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西南交通大学学报
双月刊
0258-2724
51-1277/U
大16开
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62-104
1954
chi
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