栅控单片宽带可变增益放大器

• 作者: 彭龙新 林金庭 魏同立
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 单片集成电路 可变增益 赝配高电子迁移率晶体管
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 951-953
• 页数: 3页
• 分类号: TN722.3
• 字数: 1495字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.05.032

摘要

报道了一种栅压控制的宽带GaAs单片可变增益放大器芯片.该芯片采用Ф76 m圆片0.5 μm PHEMT标准工艺制作而成.工作频率范围为2～8 GHz,栅压为零(或悬空)时,整个带内增益约14dB,输入输出驻波小于2.0,输出功率P1dB大于13dBm.通过改变栅压(可选),平坦增益可控范围13dB.该芯片体积为2.0 mm×1.8 mm×0.1 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林金庭		30	238	10.0	14.0
2	魏同立	东南大学微电子中心	87	942	17.0	26.0
3	彭龙新		21	143	7.0	11.0