GaN蓝光发光二极管的负电容现象研究

• 作者: 曾志斌 朱传云 李乐 王存达 赵锋
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 发光二极管(LEDs) 负电容 正向交流(a.c.)特性 a.c.小信号
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 光电子器件和系统
• 页码范围: 402-405
• 页数: 4页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 2742字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-0086.2004.04.006

摘要

利用交流(a.c.)小信号法对GaN蓝光发光二极管(LEDs)的电容-电压特性进行了研究,观察到了GaN蓝光LEDs中的负电容现象,并且测试频率越低、正向电压越大,这种负电容现象就越明显.研究结果表明,这一现象产生的最主要原因是由于GaN蓝光LEDs有源区内注入载流子的辐射复合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李乐	天津大学应用物理学系	8	51	4.0	7.0
2	曾志斌	天津大学应用物理学系	4	43	3.0	4.0
3	王存达	天津大学应用物理学系	9	76	6.0	8.0
4	朱传云	天津大学应用物理学系	5	52	5.0	5.0
5	赵锋	天津大学应用物理学系	2	19	2.0	2.0