高铜含量中孔Cu-Si二元氧化物的合成和表征

• 作者: 侯文华 孔岩 郭宪吉 陈嘉伊 颜其洁 马会宣
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 硅基氧化铜 中孔材料 合成条件 铜含量 表征
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 320-324
• 页数: 5页
• 分类号: O643
• 字数: 3718字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0251-0790.2004.02.022

摘要

采用CTAB(十六烷基三甲基溴化铵)为模板剂, Na2SiO3*10H2O为硅源, Cu(NH3)4(NO3)2为铜源, 在常温下成功地合成出含铜质量分数高达26%, 具有中孔结构的硅基氧化铜复合材料. 较系统地研究了反应时间、温度、 pH值和铜掺入量等对产物性能的影响. 用XRD, HRTEM, FTIR, BET, TG-DTA, ICP和XPS等手段对合成产物的结构进行了表征.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	颜其洁	南京大学化学化工学院介观材料科学实验室	22	316	9.0	17.0
2	侯文华	南京大学化学化工学院介观材料科学实验室	49	443	13.0	19.0
3	郭宪吉	南京大学化学化工学院介观材料科学实验室	8	113	4.0	8.0
4	马会宣	南京大学化学化工学院介观材料科学实验室	2	7	1.0	2.0
6	孔岩	南京大学化学化工学院介观材料科学实验室	1	7	1.0	1.0
7	陈嘉伊	南京大学化学化工学院介观材料科学实验室	1	7	1.0	1.0