IGBT的保护

• 作者: 王彦 胡卫华 陈义怀
• 来源期刊: 电源技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT MOSFET 驱动 过压 浪涌 缓冲 过流 过热 保护
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 页码范围: 282-285
• 页数: 4页
• 分类号: TM492

摘要

通过对IGBT损坏机理的分析，根据其损坏的原因，采取相应措施对其进行保护，以保证其安全可靠工作。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王彦		4	7	2.0	2.0
2	陈义怀		3	0	0.0	0.0
3	胡卫华		6	0	0.0	0.0