半导体纳米粒子Bi2S3和NiS的光限幅特性研究

• 作者: 张云军 掌蕴东 朱俊杰 袁萍
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 非线性光学 纳米粒子 Z扫描 光限幅
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 超短脉冲激光及非线性光学
• 页码范围: 201-203
• 页数: 3页
• 分类号: O437
• 字数: 1086字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2004.z1.069

摘要

研究了Bi2S2和NiS半导体纳米粒子的光限幅特性,测得了Bi2S3非线性阈值为0.11 J/cm2,NiS的非线性阈值为0.21 J/cm2.对两种样品进行了开孔Z-scan的实验,计算可知Bi2S3非线性吸收系数β≈9 cm/GW,NiS的非线性吸收系数β≈8 cm/GW.在NiS半导体纳米粒子的乙醇溶液进行闭孔Z-scan时,发现样品有自聚焦的特性,也就是说样品的非线性折射率系数n2＞O,计算得y≈2.66×104 cm2/GW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	掌蕴东	哈尔滨工业大学光电子技术研究所可调谐气体激光国家级重点实验室	37	374	11.0	18.0
2	朱俊杰	南京大学化学与化工学院	43	451	10.0	21.0
3	袁萍	哈尔滨工业大学光电子技术研究所可调谐气体激光国家级重点实验室	20	236	9.0	15.0
4	张云军	哈尔滨工业大学光电子技术研究所可调谐气体激光国家级重点实验室	8	54	4.0	7.0