自发辐射因子对VCSEL在大信号调制下的分岔及混沌行为的影响

• 作者: 潘炜 罗斌 邓果
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 激光技术 分岔 混沌 调制 自发辐射因子
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 激光物理与激光化学
• 页码范围: 293-296
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 1919字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2004.03.010

摘要

在SIMULINK平台下开发了垂直腔面发射激光器(VCSEL)的动态仿真模型,实施高频大信号调制情形下的动态仿真,避免了大信号近似处理,提高了计算精度.选择自发辐射因子为控制参量,定量分析它对VCSEL稳定性和分岔点的影响.结果表明,在所选参量条件下,自发辐射因子数值在5×10-3～5×10-5之间时,随着调制深度的加深,VCSEL峰值光子密度产生分岔,呈现双稳、多周期,最后回到单周期;当小于10-5时,进入混沌状态的演变过程.同时分岔点的移动依赖于自发辐射因子的大小,调控自发辐射因子可以抑制系统的非线性行为.仿真结果与文献实验结果吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘炜	西南交通大学计算机与通信工程学院	210	1270	17.0	25.0
3	罗斌	西南交通大学计算机与通信工程学院	196	1240	15.0	26.0
4	邓果	西南交通大学计算机与通信工程学院	12	150	9.0	12.0