简并态锗在大注入下的自发辐射谱模拟

• 作者: 李成 林光杨 汪建元 王佳琪
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 简并态锗 自发辐射 应变 掺杂
• 年，卷（期）: 2017,（15）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 235-244
• 页数: 10页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.66.156102

摘要

基于费米狄拉克模型模拟了应变、温度以及掺杂对简并态锗的直接带自发辐射谱的影响.随着温度升高,更多的电子被激发到导带中,使得锗自发辐射谱的峰值强度和积分强度随温度的升高而增大.对自发辐射谱峰值强度的m因子进行计算,结果表明张应变可以显著提高锗自发辐射的温度稳定性.在相同应变水平下,由Γ-hh跃迁引起的自发辐射谱峰值强度大于Γ-lh跃迁引起的自发辐射谱峰值强度,但二者的积分强度几乎相等.此外,计算结果还证明了n型掺杂能显著提高锗的自发辐射强度.以上结果对于研究简并态半导体的自发辐射性质有重要的参考意义.