半导体基片在10.6μm激光局域加热时的温度上升

• 作者: 叶玉堂 吴云峰 吴泽明 杨先明 秦宇伟
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 激光技术 激光微细加工 半导体 温度上升
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 所属期刊栏目: 激光应用
• 页码范围: 870-874
• 页数: 5页
• 分类号: TG665
• 字数: 3871字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2004.07.024

摘要

在激光诱导扩散等激光微细加工技术中,需要用聚焦激光束照射基片表面,以形成局部高温区.为使局部高温区的温度分布满足实验要求,对10.6μm聚焦连续波CO2激光束照射下半导体基片的温度上升进行了数值计算.计算中考虑了基片材料对10.6μm激光的吸收系数随温度的变化.计算得到了温度上升与基片预热温度、入射激光束功率及曝光面积等参数的关系.结果表明,基片初始温度为室温及激光焦斑直径小于100 μm时,激光照射形成稳定高温区的最高温度不超过600 K.增加基片初始温度,可以在建立满足要求的温度上升的同时,减小基片上高温区分布的面积.在同一初始温度下,在基片高温区分布的面积符合实验要求的前提下,应尽量使用较大的光斑尺寸和激光功率,从而使基片表面热斑的温度分布更易控制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴云峰	电子科技大学光电信息学院	106	653	13.0	18.0
2	叶玉堂	电子科技大学光电信息学院	170	1471	17.0	30.0
3	杨先明	电子科技大学光电信息学院	16	114	7.0	10.0
4	秦宇伟	电子科技大学光电信息学院	9	30	3.0	5.0
5	吴泽明	电子科技大学光电信息学院	5	16	2.0	4.0