AgGaS2晶体生长过程中的过冷度研究

• 作者: 刘娟 刘敏文 张伟 张建军 朱世富 李一春 赵北君 陈宝军 黎明
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 硫镓银 单晶生长 过冷度
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 功能材料制备加工技术
• 页码范围: 3093-3095
• 页数: 3页
• 分类号: O795
• 字数: 1596字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.z1.869

摘要

根据熔体生长系统中相变驱动力的基础理论,针对AgGaS2过冷度较大的特点,采用自发成核后升温熔料、下降安瓿后上提熔料以及加类籽晶等工艺研究了AgGaS2晶体生长过程中因过冷度大而难于生长较大尺寸单晶体的问题,生长出了外形完整、无裂纹的尺寸达φ15mm×20mm的较高质量AgGaS2单晶体.