非均匀沟道MOS辐照正空间电荷迁移率模型

• 作者: 张波 方健 李泽宏 李肇基
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 非均匀沟道MOS 镜像法 二维互作用势
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 561-565
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2090字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.02.043

摘要

提出非均匀沟道MOS辐照正空间电荷迁移率模型.借助镜像法导出沟道电离杂质与辐照正空间电荷的二维场和二维互作用势的分布,由此给出非均匀n沟和p沟的迁移率表示式,其解析解与二维仿真值十分吻合.还借助二维仿真器计算均匀沟道MOS辐照正空间电荷迁移率的变化值,其值和文献[2,3]实验数据一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	电子科技大学微电子研究所	206	1313	17.0	26.0
2	李肇基	电子科技大学微电子研究所	85	958	14.0	28.0
3	方健	电子科技大学微电子研究所	35	304	9.0	16.0
4	李泽宏	电子科技大学微电子研究所	32	111	6.0	8.0