R(Fe,Si)12(R=Y,Nd)化合物的电子结构与磁性

• 作者: 孙光爱 杜红林 樊志剑 陈波 高涛 齐新华
• 来源期刊: 中国科学G辑
• 学科: 物理学
• 关键词: (L)APW+lo方法 R(Fe,Si)12(R=Y,Nd) 磁距 态密度
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 513-520
• 页数: 8页
• 分类号: O4
• 字数: 4576字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-7275.2005.05.007

摘要

介绍了新近发展的基于密度泛函理论的全势能线性缀加平面波((L)APW)+局域轨道(lo)方法,并对R(Fe,Si)12化合物(R=Y,Nd)作了理论计算.由结构优化后的单胞总能量分析了Si原子的占位分布,计算得到并分析了Si原子 替代晶位不同引起的原子磁矩、总态密度和局域态密度的变化特点.结果表明RFe10Si2化合物(R=Y,Nd)饱和磁矩明显大于同类RFe10M2化合物(M=Ti,V,Cr,Mn,Mo和W),Si原子在化合物中存在两种杂化机制,Si(8j)原子会同时减小3种晶位Fe原子磁矩,Si(8f)则主要减小Fe(8i)与Fe(8j)原子磁矩.由Fermi面态密度变化分析认为加入Si原子会大大提高化合物居里温度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高涛	四川大学原子与分子物理研究所	71	281	9.0	13.0
2	陈波	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	97	475	12.0	18.0
3	孙光爱	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	33	103	4.0	9.0
4	樊志剑	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	11	12	2.0	2.0
5	杜红林	北京大学物理学院	16	32	2.0	5.0
6	齐新华	四川大学原子与分子物理研究所	8	38	4.0	5.0