Al4SiC4氮化法制备AlN-SiC纳米复合粉末

• 作者: KiyoshiItatani 崔立新 张铁军
• 来源期刊: 现代冶金（内蒙古）
• 学科: 工学
• 关键词: AIN 氮化 纳米复合粉末 尺寸 估计 固溶体 相组成 制备 比表面积 球形颗粒
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 页码范围: 30-32
• 页数: 3页
• 分类号: TF123.11

摘要

通过比表面积为15．5m^2·g^-1的Al4SiC4粉的氮化法制备得到了AIN—SiC纳米复合粉末。在1400℃或高于此温度下保温3h，氮化后的粉末中含有由富AIN和富SiC相组成的2H相。均匀固溶体的形成随氮化温度从1400℃升至1500℃而推进。1500℃保温3h氮化得到的AIN—SiC粉末的比表面积是19．5m^2·g^-1，而初晶(假定为球形颗粒)尺寸估计大约为100纳米。