H3-xRxSi-X键的键离解能及硅烷基自由基生成热的计算

• 作者: 于涛 钮敏 霍红梅
• 来源期刊: 河北科技大学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 硅烷基衍生物 键离解能 硅烷基自由基 生成热 基团电负性
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 数理科学与化学
• 页码范围: 194-196
• 页数: 3页
• 分类号: O621.13
• 字数: 1591字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-1542.2005.03.007

摘要

基于基团电负性用硅烷基的结构参数建立了硅烷基衍生物H3-xRxSi-X键的键离解能以及硅烷基自由基生成热的经验计算方法,利用此方法计算出了一系列H3-xRxSi-X键的键离解能,与已知的28个文献数据比较,平均偏差为4.02 kJ·mol-1,计算出来的烷基自由基的标准生成热与已知的4个文献值比较,平均偏差仅为0.30 kJ·mol-1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于涛	河北科技大学理学院	8	7	2.0	2.0
2	霍红梅		1	1	1.0	1.0