原文服务方: 微电子学与计算机       
摘要:
阐述了SETMOS的结构、特性及应用.基于正统理论,分析了几种仿真混合SETMOS电路模型各自的优缺点,并给出了改进的MIB模型的仿真方法,该模型对于混合SETMOS模拟和数字电路的仿真及设计都较为精确.
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文献信息
篇名 混合SETMOS结构单元及其仿真实现方法
来源期刊 微电子学与计算机 学科
关键词 混合SETMOS结构单元 库仑振荡 负微分电阻器件 改进的MIB模型
年,卷(期) 2005,(7) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 24-26,30
页数 4页 分类号 TN389
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-7180.2005.07.007
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 蔡理 空军工程大学理学院 136 382 8.0 11.0
2 李芹 空军工程大学工程学院 21 51 4.0 5.0
3 孟锋 空军工程大学工程学院 2 4 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
混合SETMOS结构单元
库仑振荡
负微分电阻器件
改进的MIB模型
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学与计算机
月刊
1000-7180
61-1123/TN
大16开
1972-01-01
chi
出版文献量(篇)
9826
总下载数(次)
0
总被引数(次)
59060
相关基金
陕西省自然科学基金
英文译名:Natural Science Basic Research Plan in Shaanxi Province of China
官方网址:
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