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摘要:
分析了单电子晶体管(SET)和金属氧化物半导体(MOS)的混合器件--SETMOS所具有的特性,利用补偿原理设计了细胞神经网络(CNN)结构的细胞体电路、分段线性模块,A模板和B模板电路,得到了由SETMOS构成的CNN具体电路.仿真结果表明,所设计的硬件电路结构简单,静态功耗低,约200 nW,有利于进一步提高集成电路的集成度,为相关工程领域的实际应用提供了新方法.
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文献信息
篇名 基于SETMOS的CNN结构分析及实现
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 SETMOS 细胞神经网络 细胞体电路 非线性
年,卷(期) 2009,(7) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 24-26,29
页数 4页 分类号 TN453
字数 1481字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2028.2009.07.008
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 蔡理 空军工程大学理学院 136 382 8.0 11.0
2 张南生 空军工程大学理学院 4 1 1.0 1.0
3 何花 空军工程大学理学院 4 7 2.0 2.0
4 金贵梅 1 0 0.0 0.0
传播情况
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
SETMOS
细胞神经网络
细胞体电路
非线性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
出版文献量(篇)
5158
总下载数(次)
16
总被引数(次)
31758
论文1v1指导