SETMOS实现多涡卷蔡氏电路的研究

• 作者: 冯朝文 张立森 杨晓阔 蔡理 赵晓辉
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 单电子晶体管 负微分电阻 多涡卷 分岔
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 8426-8431
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

基于细胞神经网络结构,利用具有负微分电阻特性的单电子晶体管与金属氧化物半导体混合结构器件SETMOS实现了多涡卷蔡氏电路.对该电路系统的基本动力学特性(如相图、分岔图、Lyapunov指数、Poincare映射和功率谱)进行了理论分析和数值仿真,并利用电路仿真实验验证了该三阶四涡卷蔡氏电路设计的正确性和可行性.研究结果表明,SETMOS的负微分电阻特性决定着多涡卷蔡氏电路的复杂动力学行为,而且所设计的电路结构简单易行.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨晓阔	空军工程大学理学院	45	108	6.0	8.0
2	蔡理	空军工程大学理学院	136	382	8.0	11.0
3	冯朝文	空军工程大学理学院	36	108	6.0	8.0
4	赵晓辉	空军工程大学理学院	15	60	5.0	7.0
5	张立森	空军工程大学理学院	12	63	5.0	7.0