Al/Zr-V/Mo多层膜的吸氘性能研究

• 作者: 张小红 彭述明 杨本福 王海峰 龙兴贵
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: Al Zr-V ZrV2 吸氘
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 80-83
• 页数: 4页
• 分类号: TB383.533
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6931.2005.01.018

摘要

对Al/Zr-V/Mo多层膜的吸氘性能进行了实验研究.铝膜仅在320℃有单一的除气峰,Zr-V膜的除气峰有2个,分别为220和350℃.当铝层平均厚度小于0.6μm时,A1/Zr-V多层膜的除气峰类似于Zr-V膜;大于0.6μm时,类似于铝膜.多层膜的吸氘量随铝膜的厚度增加逐步减小,直至铝膜的平均厚度为0.7 μm后,吸氘量不再有大的变化,但有小幅波动.由于Al膜在除气中有不同程度的破坏,当铝膜平均厚度小于0.6 μm时,多层膜的吸氘速率变化行为类似于Zr-V膜;当铝膜厚度大于0.6 μm时,多层膜的吸氘速率受铝膜厚度的影响不大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龙兴贵	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	123	496	10.0	16.0
2	杨本福	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	38	211	8.0	13.0
3	彭述明	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	97	341	10.0	14.0
4	王海峰	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	13	19	2.0	4.0
5	张小红	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	3	0	0.0	0.0