D-T中子照射下含硼聚乙烯球泄漏γ能谱测量

• 作者: 安力 牟云峰 王新华 郭海萍 陈渊
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 含硼聚乙烯 泄漏γ能谱 D-T中子 MCNP/4A程序
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 物理
• 页码范围: 198-201
• 页数: 4页
• 分类号: O571.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6931.2005.03.002

摘要

为了更清楚地了解含硼聚乙烯的屏蔽性能,用反冲电子法测量了D-T中子照射下的不同B4C含量的聚乙烯球的泄漏γ能谱,并用MCNP/4A程序和ENDF/B-Ⅴ库数据进行模拟计算.实验测量值和计算值在误差范围内符合得较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王新华	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	27	76	5.0	7.0
2	郭海萍	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	23	78	5.0	7.0
3	牟云峰	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	23	76	4.0	7.0
4	安力	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	31	89	5.0	7.0
5	陈渊	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	23	71	5.0	7.0