T(d,n)4 He 强流中子发生器的中子能谱和角分布模拟计算

• 作者: 姚泽恩 岳伟明 杜洪新 王学智 罗鹏 谭新建
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 强流中子发生器 中子能谱 中子角分布 MCNP模拟
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 物理
• 页码范围: 1073-1076
• 页数: 4页
• 分类号: O571.53
• 语种: 中文

摘要

采用将厚靶分割成薄靶的方法对厚氚钛靶、260 keV 氘束流能量条件下T(d,n)4 He 反应中子源的能谱和角分布进行计算.以分割法计算得到的能谱和角分布数据为基础,建立了D-T中子源MonteCarlo 模拟抽样模型,在考虑中子发生器各元件材料及实验大厅墙壁对快中子的慢化、散射和吸收的条件下,采用MCNP程序对兰州大学3×1012 s-1 强流中子发生器260 keV氘束流能量下的中子能谱和角分布进行了模拟,给出了模拟结果.为检验模拟结果的可靠性,与实验测量能谱进行了比较,MonteCarlo 模拟谱和实验测量谱基本符合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王学智	兰州大学核科学与技术学院	5	34	3.0	5.0
2	姚泽恩	兰州大学核科学与技术学院	48	185	8.0	10.0
3	杜洪新	兰州大学核科学与技术学院	4	29	2.0	4.0
4	谭新建	兰州大学核科学与技术学院	3	14	2.0	3.0
5	罗鹏	兰州大学核科学与技术学院	4	39	2.0	4.0
6	岳伟明	兰州大学核科学与技术学院	3	29	2.0	3.0