栅长L对GGNMOS抗静电能力的影响

• 来源期刊: 电路与系统学报
• 学科: 工学
• 关键词: ESD GGNMOS MEDICI 器件仿真
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 93-96
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 2760字
• 语种: 中文

摘要

本文讨论了ESD保护器件GGNMOS(Gate Grounded NMOS)的栅长对其抗静电能力的影响,并用MEDICI进行仿真验证.基于仿真结果首次讨论了GGNMOS的栅长对其一次击穿电压、二次击穿电压和电流、导通电阻、耗散功率等的作用.