利用磁致频移提高磁阻抗效应

• 作者: 吴锋民 方允樟 郑金菊
• 来源期刊: 浙江大学学报（工学版）
• 学科: 工学
• 关键词: Fe基纳米晶 频移 磁阻抗 介观结构
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 自动化技术、计算机技术
• 页码范围: 511-515,521
• 页数: 6页
• 分类号: O756|TP212.14
• 字数: 3453字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-973X.2005.04.012

摘要

用4294A型阻抗分析仪研究Fe基纳米晶薄带(FNR)两种驱动模式(LC模式和L模式)的磁阻抗,发现LC模式阻抗频谱在外磁场作用下有显著的频移现象.利用这种频移现象,在选择LC模式的情况下,当驱动电流频率接近0磁场阻抗频谱峰频率时,磁阻抗比值达到24.28,比L模式的0.28大得多;磁敏线性区间为0～1 669.5 A/m,比L模式的0～70 A/m扩大20多倍.该结果在实际应用中有利于提高FNR磁敏传感器的灵敏度和扩大磁敏线性区间;用原子力显微镜(AFM)观察FNR表面和经氢氟酸溶液腐蚀的FNR结构表明,FNR内部存在10～30 nm的晶粒被非晶成分胶联的结构,这是FNR在LC驱动模式下具有显著磁致频移现象的内在因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方允樟	浙江师范大学数理学院	54	148	7.0	10.0
2	吴锋民	浙江大学理学院	3	8	2.0	2.0
3	郑金菊	浙江师范大学数理学院	34	235	6.0	14.0