硫化锌掺杂二氧化硅靶材致密化研究

• 作者: 扈百直 李风光 钟景明
• 来源期刊: 稀有金属快报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnS靶材 热压 光盘
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 所属期刊栏目: 研发与应用
• 页码范围: 23-26
• 页数: 4页
• 分类号: TL503.4
• 语种: 中文

摘要

硫化锌掺杂二氧化硅(以下简用ZnS+SiO2表示)靶材主要用于CD-RW,DVD-RAM光盘,它通过溅射方法在光盘上形成一层保护膜,以保证光盘的记录性能不受外界条件的影响.靶材的密度越高,溅射形成的膜的质量越好.ZnS+SiO2靶材可通过热等静压工艺或热压工艺获得,本实验采用真空热压工艺对ZnS+SiO2靶材致密化进行了研究,分析了主要热压工艺参数对ZnS+SiO2靶材密度的影响.最适宜的热压温度为1 250℃,压力为36 MPa,时间为3 h,采用此工艺参数制备的靶材相对密度达99.2%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	扈百直		3	5	1.0	2.0
2	李风光		2	0	0.0	0.0
3	钟景明		4	17	1.0	4.0