InAs晶体二维自旋磁极化子自陷能的磁温效应

• 作者: 李子军 李岗
• 来源期刊: 高压物理学报
• 关键词: 弱耦合 自旋 自陷能 磁场效应 高温高压效应
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 页码范围: 45-50
• 页数: 6页
• 分类号: O471.3|O521.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5773.2005.01.009

摘要

在同时考虑磁场和高温高压的情况下,应用么正变换和线性组合算符法,研究了电子自旋对弱耦合二维磁极化子自陷能的影响.对InAs半导体所作的数值计算结果表明,不同方向的电子自旋使弱耦合二维磁极化子的自陷能分裂为二.分裂的程度随磁场的加强而加剧.随着磁场或温度的增加,磁极化子的自陷能减小而电子自旋能量与磁极化子自陷能之比增大.当磁场足够强或温度足够高时,电子自旋能量与磁极化子自陷能之比是很大的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李子军	烟台大学光电学院	18	54	5.0	6.0
2	李岗	烟台大学光电学院	5	5	1.0	1.0