半导体极性晶体膜中束缚磁极化子的自陷能

• 作者: 王秀清
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光电子学 束缚磁极化子 线性组合算符 自陷能
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 半导体光电
• 页码范围: 242-246
• 页数: 5页
• 分类号: O469|O472.3
• 字数: 2346字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2010.02.020

摘要

采用线性组合算符法和幺正变换方法,研究极性晶体膜中束缚磁极化子的自陷能随膜厚d的变化关系.得出束缚磁极化子的自陷能由两部分组成:第一部分是由于电子-体LO声子相互作用所引起的(E_e~(tr)-LO),第二部分则是电子-SO声子相互作用引起的.后者又包含两部分,分别是电子与极性膜中两支表面声子相互作用的贡献(E_e~(tr)-SO(+),E_e~(tr)-SO(-)).通过对KCl半导体膜的数值计算表明,E_e~(tr)-ph和磁极化子的振动频率λ随膜厚d的增加而减少;当膜厚大于5 nm时,总自陷能 E_e~(tr)-ph 趋于一稳定值.另外,由于稳恒磁场的存在,使磁极化子的自陷能增大,这主要是由于稳恒磁场的存在,使电子-声子间的相互作用改变而引起的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王秀清	内蒙古民族大学物理与电子信息学院	22	37	3.0	4.0