Alq3厚度以及沉积速率对OLED性能的影响

• 作者: 张方辉 张麦丽 牟强
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: OLED Alq3 厚度 沉积速率
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 508-511
• 页数: 4页
• 分类号: TN873.3
• 字数: 2355字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2005.06.009

摘要

以ITO为透明电极,NPB为空穴传输层,Alq3为发光层,制备出ITO/NPB/Alq3/LiF/Al结构的有机电致发光显示器.通过比较Alq3发光层厚度以及沉积速率对OLED的亮度、发光效率的影响,确定了Alq3层的厚度为65 nm,沉积速率为0.3 nm/s,得到起亮电压为3.01 V、发光亮度为12 800 cd/m2、发光效率达到4.421 cd/A的器件,并对其影响因素进行了分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	牟强	电子科技大学微电子与固体电子学院	1	16	1.0	1.0
2	张麦丽	电子科技大学微电子与固体电子学院	1	16	1.0	1.0
3	张方辉	电子科技大学微电子与固体电子学院	1	16	1.0	1.0