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摘要:
193nmArF激基体激光光刻是21世纪提高超大规模集成电路(VLSI)集成度的一项关键技术,已成为高技术领域的研究热点.本文介绍了近年来几种主要的紫外光致抗蚀剂及其研究进展,对ArF激基体激光(193nm)光致抗蚀剂的各个组分进行了归纳综述.并指出,通过改进感光高分子的结构与组成,可以获得性质优良的抗蚀剂,给分析、研究工作以助益.
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文献信息
篇名 紫外光致抗蚀剂的研究现状
来源期刊 中国环境管理干部学院学报 学科 地球科学
关键词 紫外光致抗蚀剂 光刻胶 193nm ArF 激光 激基体激光
年,卷(期) 2005,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 79-81,85
页数 4页 分类号 X63
字数 4232字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1008-813X.2005.04.026
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作者信息
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1 王文君 16 169 7.0 13.0
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研究主题发展历程
节点文献
紫外光致抗蚀剂
光刻胶
193nm ArF 激光
激基体激光
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国环境管理干部学院学报
双月刊
1008-813X
13-1272/X
河北省秦皇岛市河北大街西段73号
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出版文献量(篇)
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