掺杂氧化钇氧化镍对氧化锌电阻片特性的影响

• 作者: 王玉平 马军
• 来源期刊: 电瓷避雷器
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO压敏电阻片 掺杂氧化钇 掺杂氧化镍 电位梯度 能量吸收能力
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 避雷器
• 页码范围: 19-23
• 页数: 5页
• 分类号: TM862
• 字数: 4046字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-8337.2005.06.006

摘要

通过掺杂氧化镍、氧化钇,对改善ZnO压敏电阻片电气特性进行了系统研究;分析和讨论了电阻片的电位梯度E、泄漏电流IL、压比Ki、方波、大电流冲击所引起的变化以及老化 试验等;掺杂后,不仅提高了电阻片的电位梯度,同时还提高了其能量吸收能力;特别是钇掺杂处于晶界上,抑制晶粒长大,使晶界电压降低,大约为2.2V,是传统电阻片晶界电压的70%.研究获得了电位梯度达260V/mm,方波为800A,能量吸收能力达到300J/cm3的直径为56mm、厚度为9mm的ZnO压敏电阻片.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王玉平		23	187	8.0	13.0
2	马军		3	36	3.0	3.0