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星形胶质细胞培养液及抗呆Ⅰ号对模拟损伤神经元的影响
星形胶质细胞培养液及抗呆Ⅰ号对模拟损伤神经元的影响
作者:
唐一鹏
宋岳涛
洪庆涛
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
星形胶质细胞
神经元
脑缺血再灌注
条件培养液
抗呆Ⅰ号
脑缺血预适应
摘要:
目的探讨体外模拟脑缺血再灌注损伤条件下星形胶质细胞条件培养液(ACM)、经抗呆Ⅰ号作用的星形胶质细胞条件培养液(ACMK)及ACM与抗呆Ⅰ号联合应用(ACM+K)对损伤神经元的影响.方法先分别进行大鼠大脑皮质星形胶质细胞(Ast)和神经元的分离纯化培养及体外模拟脑缺血再灌注损伤模型的建立,然后用再灌18 h后收集的ACM、ACMK和ACM+K以1:5的浓度来培养损伤后的神经元,最后测定其神经元的活性、存活率、死亡率、培养液乳酸脱氢酶(LDH)的漏出率和NOS强阳性细胞的表达量.结果 ACM、ACMK和ACM+K均能使脑缺血再灌注损伤后神经元的活性和存活率明显提高,使死亡率、细胞培养液LDH的漏出率和NOS强阳性细胞的表达量显著降低,其作用 ACMK>ACM+K>ACM.结论①经体外模拟脑缺血再灌注损伤的神经元呈损伤→代偿→再损伤→恢复的时相变化;②ACM对受损的神经元具有重要的保护和修复作用;③Ast在脑缺血预适应(BIP)中发挥重要的作用;④抗呆Ⅰ号可通过Ast间接地保护和修复受损的神经元.
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内容分析
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文献信息
篇名
星形胶质细胞培养液及抗呆Ⅰ号对模拟损伤神经元的影响
来源期刊
北京中医药大学学报
学科
医学
关键词
星形胶质细胞
神经元
脑缺血再灌注
条件培养液
抗呆Ⅰ号
脑缺血预适应
年,卷(期)
2005,(1)
所属期刊栏目
中医药实验研究
研究方向
页码范围
39-43
页数
5页
分类号
R285.5
字数
4323字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:1006-2157.2005.01.012
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
唐一鹏
北京中医药大学基础医学院解剖教研室
28
873
13.0
28.0
2
洪庆涛
北京中医药大学基础医学院解剖教研室
34
781
16.0
27.0
3
宋岳涛
北京解放军301医院神经信息中心
1
1
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节点文献
星形胶质细胞
神经元
脑缺血再灌注
条件培养液
抗呆Ⅰ号
脑缺血预适应
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
北京中医药大学学报
主办单位:
北京中医药大学
出版周期:
月刊
ISSN:
1006-2157
CN:
11-3574/R
开本:
大16开
出版地:
北京北三环东路11号
邮发代号:
82-414
创刊时间:
1959
语种:
chi
出版文献量(篇)
4672
总下载数(次)
9
总被引数(次)
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