电子型超导体Pr1.85Ce0.15CuO4-δ中Cu位V替代对超导电性的影响

• 作者: 刘芬 张金仓 敬超 曹世勋 李领伟 池长昀 黎文峰
• 来源期刊: 低温物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子型高温超导体 超导电性 微观结构 载流子浓度
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 432-438
• 页数: 7页
• 分类号: O51
• 字数: 3568字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.010

摘要

本文研究了Pr1.85Ce0.15CuO4-δ(PCCO)中V4+离子替代Cu2+离子后对其超导电性的影响.Pr1.85Ce0.15Cu1-xVxO4-δ(x=0～0.10)电阻率测量结果显示:微量(x≤0.04)V4+离子替代Cu2+离子可以改善样品的超导电性;随着替代量的增加,体系的超导电性逐渐被抑制,x=0.08时超导电性消失.我们主要从样品的微观结构和载流子浓度两个方面的变化分析了V4+替代Cu2+对PCCO超导电性的影响机制.霍尔系数实验结果表明,替代量较少时,体系中载流子浓度随着x的增加而增加,有助于超导电性的改善,但是当替代量增加到一定程度时,晶格畸变程度的增大和顶点氧的出现,抑制了超导电性.