离子束流密度和基底温度对TiN纳米薄膜性能的影响

• 作者: 孙蓉 徐洮 林义民 梁爱民 王立平
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: TiN薄膜 离子束辅助沉积 结合强度 纳米硬度 摩擦学性能
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 534-536
• 页数: 3页
• 分类号: TB383
• 字数: 2882字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2005.04.016

摘要

采用低能离子束辅助沉积技术在Si片上制备了TiN纳米薄膜.考察了离子束流密度和基底温度对薄膜性能的影响.研究表明:随着离子束流密度的增大,TiN薄膜的纳米硬度上升,膜基结合力变化不大,薄膜的耐磨性获得了很大改善;制膜时的基底温度升高,薄膜的硬度也会上升,但膜基结合力下降,摩擦系数增大,薄膜的耐磨性下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王立平	中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室	57	810	15.0	27.0
2	徐洮	中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室	75	815	16.0	23.0
3	孙蓉	中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室	56	369	12.0	16.0
4	梁爱民	中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室	10	51	4.0	7.0
5	林义民	中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室	6	45	5.0	6.0