聚碳硅烷裂解中的氧影响分析

• 作者: 肖安 陈曼华 陈朝辉
• 来源期刊: 宇航材料工艺
• 学科: 工学
• 关键词: 先驱体 聚碳硅烷 裂解
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 新材料新工艺
• 页码范围: 28-30
• 页数: 3页
• 分类号: TQ32
• 字数: 1752字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2330.2005.03.007

摘要

以不同纯度的氮气为保护性气氛,采用差热法和红外光谱法研究微量氧对聚碳硅烷裂解的影响,并讨论了在有微量氧的气氛下,不同裂解条件对陶瓷产率的影响.结果表明,氧可以与聚碳硅烷起氧化反应,形成含氧基团,使裂解产物增重.合理地控制气氛流量、升温速率、试样量等裂解工艺条件,可有效地抑制氧对聚碳硅烷裂解的影响.当升温速率为30℃/min、氮气流量为80 mL/min时,气氛中微量氧的氧化程度降至最低,试样的陶瓷产率接近于实际值.