硅烷低温等离子体阶跃响应的仿真(1)

• 作者: 孙秀泉 李景镇 杨靖 龚向东
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 迁移率 扩散系数 阶跃响应 等离子体振荡
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 流体、等离子体和放电
• 页码范围: 3251-3256
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 2830字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.07.048

摘要

了解含有负离子的低温等离子体的过渡特性,在等离子体控制过程中,尤其在选择性等离子体腐蚀工艺和改善电荷堆积等现象中是十分重要的课题.对电源驱动频率为13.56MHz,压力为0.5Torr(0.5×103.33Pa)状态下的硅烷(SiH4)低温等离子体的阶跃响应进行仿真.当电源电压振幅从550V阶跃减小到350V时,硅烷低温等离子体表现出以数千RF周期为周期的振荡现象,等离子体中的带电粒子的运动变化决定了振荡现象的产生和振荡周期等特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李景镇	深圳大学工程技术学院	72	1139	20.0	31.0
2	龚向东	深圳大学工程技术学院	41	291	10.0	13.0
3	孙秀泉	深圳大学工程技术学院	19	98	6.0	9.0
4	杨靖	深圳大学工程技术学院	3	10	1.0	3.0