关于VDMOSFET二次击穿现象的分析和研究

• 作者: 姜法明 庄奕琪 张丽 李小明
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 二次击穿 双极晶体管 功率晶体管VDMOS 寄生晶体管 MEDICI
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 页码范围: 105-109
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 3517字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2005.01.026

摘要

在PDP驱动电路中的高压功率器件大量采用了VDMOS器件,由二次击穿引起的器件损坏不容忽视.本文讨论了双极晶体管和功率晶体管VDMOS二次击穿的现象,着重分析了功率晶体管VDMOS二次击穿的原因,并提出了改善其二次击穿现象的最佳设计参数及最优准则: 基于寄生晶体管基区结深和浓度优化的方法.同时用器件仿真软件MEDICI模拟了各参数对功率晶体管VDNMOS二次击穿的影响,给出了仿真结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄奕琪	西安电子科技大学微电子所	183	1168	15.0	22.0
2	李小明	西安电子科技大学微电子所	19	123	6.0	10.0
3	张丽	西安电子科技大学微电子所	25	178	9.0	12.0
4	姜法明	西安电子科技大学微电子所	3	20	2.0	3.0